Toshiba推出采用DFN8x8封装的第3代650V SiC MOSFET

来源：资讯

日期：2025-05-20

- 四款新设备提升工业设备的能效与功率密度 -

日本川崎市--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（以下简称“Toshiba”）推出了四款650V碳化硅 (SiC) MOSFET，搭载其新款[1] 第3代SiC MOSFET芯片，采用紧凑型DFN8x8封装，适用于开关电源和光伏发电调节器等工业设备。这四款设备“TW031V65C”、 “TW054V65C”、“TW092V65C“和“TW123V65C”即日起批量出货。

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这款新品是首批采用小型贴片DFN8x8封装的第3代SiC MOSFET，与TO-247和TO-247-4L(X)等传统的引线封装相比，体积缩小超过90%，显著提升了设备的功率密度。贴片封装还能使用比引线封装更小的寄生阻抗[2]元件，从而降低开关损耗。DFN8x8采用4引脚[3]封装，支持对门极驱动信号源端进行Kelvin连接，有效减少封装内源极线的电感影响，实现高速开关性能；以型号TW054V65C为例，其开启损耗降低约55%，关断损耗降低约25%[4]，相比Toshiba现有产品[5]，有助于减少设备的功率损耗。

Toshiba将持续扩展其产品阵容，助力提升设备能效并增强功率处理能力。

注释：
[1] 截至2025年5月。
[2] 电阻、电感等。
[3] 信号源引脚靠近FET芯片连接的产品。
[4] 截至2025年5月，数值由Toshiba测量。详情请参阅Toshiba网站上此版本中的图1。
[5] 采用TO-247封装（无Kelvin连接）的650V第3代SiC MOSFET，等效电压和导通电阻。

应用领域

服务器、数据中心、通信设备等的开关电源
电动汽车充电站
光伏逆变器
不间断电源

特点

采用DFN8x8贴片封装，有助于设备小型化及自动化组装，具备低开关损耗特性。
搭载Toshiba第3代SiC MOSFET
通过优化漂移区电阻与沟道电阻比例，实现良好的漏源导通电阻温度特性
漏源导通电阻与栅漏电荷乘积较低
低二极管正向电压：VDSF =-1.35V(典型) (VGS =-5V)

主要规格

				（除非另有说明，Ta =25℃）
产品型号				TW031V65C	TW054V65C	TW092V65C	TW123V65C
封装	名称			DFN8x8
封装	尺寸（毫米）：		典型	8.0×8.0×0.85
绝对最大额定值	漏源电压 VDSS (V)			650
	栅源电压 VGSS (V)			-10 至 25
	漏极电流 (DC) ID (A)	Tc =25°C		53	36	27	18
电气特性	漏源导通电阻 RDS(ON) (mΩ)	VGS =18V	典型	31	54	92	123
	栅极阈值电压 Vth (V)	VDS =10V		3.0 至 5.0
	总栅极电荷 Qg (nC)	VGS =18V	典型	65	41	28	21
	栅漏电荷 Qgd (nC)	VGS =18V	典型	10	6.2	3.9	2.3
	输入电容 Ciss (pF)	VDS =400V	典型	2288	1362	873	600
	二极管正向压降 VDSF (V)	VGS =-5V	典型	-1.35
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关于Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先进半导体和存储解决方案的领先供应商，凭借半个多世纪的经验和创新，为客户和业务合作伙伴提供卓越的分立半导体、系统LSI和HDD产品。

该公司在全球拥有19,400名员工，以实现产品价值最大化，与客户密切合作共创价值和开拓新市场为宗旨。该公司以建设并促进更美好的未来，让全世界的所有人受益为目标。

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