业内首创的2200伏PowiGaN™技术可为AI数据中心、电动汽车、光伏及高压直流基础设施实现更高的功率密度、更卓越的效率以及更安全、更简化的系统架构
加州圣何塞--(美国商业资讯)--专注于高能效电源转换的高压集成电路领军企业Power Integrations (NASDAQ: POWI)今日宣布，其PowiGaN™氮化镓(GaN)技术的额定电压现已高达2200伏，远超目前市面上所有其他商用GaN技术的电压水平。这一突破性进展使PowiGaN成为高电压数据中心、电动汽车、可再生能源以及高压直流基础设施领域的领先技术解决方案，这些领域正纷纷采用更高电压的母线架构，以实现更高的功率密度。
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Power Integrations总裁兼首席执行官Jennifer Lloyd表示：“我们的2200伏PowiGaN技术为新兴的高压电力系统提供了充足的电压裕量，同时支持高开关频率，从而最大限度地提升功率密度。新兴应用包括下一代AI数据中心——行业路线图指出，这些中心将采用1500伏配电架构；此外，未来电动汽车电池及辅助电源系统的工作输出电压也将越来越高（达到48伏）。这一里程碑式的突破将氮化镓的适用范围扩展到了过去由碳化硅所覆盖的电压区间，为太阳能、高压直流以及先进工业电力转换等应用提供了极具吸引力的高频替代方案。”
得益于更高的效率和开关频率，氮化镓功率开关正逐步取代硅晶体管，广泛应用于各类电力转换领域。然而，随着数据中心、电动汽车、可再生能源以及高压直流基础设施的发展路线图对更高电压和更大功率密度提出要求，氮化镓技术也必须紧跟步伐。目前的替代方案包括较低频率的碳化硅(SiC)，或采用多层堆叠、工作电压较低的氮化镓器件阵列——但这些方案在功率密度、复杂性和可靠性方面均需做出一定妥协。
额定电压为1700伏的PowiGaN集成电路已开始应用于单级数据中心辅助电源领域，而1250伏的PowiGaN则为800伏直流数据中心主功率路径中的叠层解决方案提供了一种更简单的替代方案。2200伏PowiGaN技术的推出意味着未来可支持更高电压的母线架构，从而不仅为数据中心，也为电动汽车、光伏逆变器和电池储能系统等领域的电源设计做好了前瞻性布局。
Yole Group化合物半导体技术与市场分析师Roy Dagher博士解释道：“AI数据中心向800伏直流母线架构的转变正在重塑功率半导体市场。此前，氮化镓的电压上限使其难以进入主功率路径，这一领域一直由碳化硅占据。而2200伏的额定电压则改变了这一局面，为单级拓扑结构提供了更多空间，并使新兴的1500伏数据中心和电动汽车设计具备了更强的未来适应性。我们预计，到2031年，功率氮化镓器件市场规模将达到35亿美元，而将氮化镓拓展至这些更高电压应用正是推动这一增长的重要因素之一。”(1)
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Power Integrations, Inc.是高压电源转换半导体技术的领先创新企业。公司的产品是清洁电力生态系统中的关键组件，可助力可再生能源的生成，以及从毫瓦级到兆瓦级各类应用中电力的高效传输、转换与消耗，这些应用涵盖AI数据中心、电动汽车和高压直流基础设施等领域。如需了解更多信息，请访问www.power.com。
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(1) 资料来源：《2026年功率氮化镓报告》，Yole Group